Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Сбросить фильтр
Популярные
IRGPS4067DPBF

International Rectifier

IRGPS4067DPBF
Транзистор: IGBT TRENCH 600V 240A SUPER247

50 шт - в наличии

1 570 ₽

1 шт — 1 570 ₽

STGB10NB37LZT4

STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4
Транзистор: IGBT 440V 20A 125W D2PAK

16 шт - в наличии

124 шт - 3-6 недель

955 ₽

1 шт — 955 ₽

10 шт — 635 ₽

APT33GF120BRG

Microchip Technology

APT33GF120BRG
Транзистор: IGBT 1200V 52A 297W TO247

8 шт - в наличии

62 шт - 3-6 недель

1 902 ₽

1 шт — 1 902 ₽

100 шт — 1 425 ₽

IKW40N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IKW40N65F5FKSA1
Транзистор: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

5 шт - в наличии

174 шт - 3-6 недель

1 942 ₽

1 шт — 1 942 ₽

5 шт — 551 ₽

STGW20V60DF

STMicroelectronics

STGW20V60DF
Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247

4 шт - в наличии

56 шт - 3-6 недель

781 ₽

1 шт — 781 ₽

10 шт — 580 ₽

SKP02N60

Infineon Technologies AG

SKP02N60

4 шт - в наличии

42 шт - 3-6 недель

400 ₽

1 шт — 400 ₽

3 шт — 343 ₽

IXXK100N60C3H1

IXYS

IXXK100N60C3H1
Транзистор: IGBT 600V 170A 695W TO264

2 шт - в наличии

169 шт - 3-6 недель

5 680 ₽

1 шт — 5 680 ₽

10 шт — 3 081 ₽

NGTB30N135IHR1WG

ON SEMICONDUCTOR

NGTB30N135IHR1WG
Транзистор

1 шт - в наличии

953 ₽

1 шт — 953 ₽

AOB5B65M1

Alpha & Omega

AOB5B65M1
Транзистор: IGBT 650V 5A TO263

1 шт - в наличии

361 ₽

1 шт — 361 ₽

FGA20S120M

Fairchild Semiconductor

FGA20S120M
Транзистор: IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL
TIG052TS-TL-E

onsemi

TIG052TS-TL-E
Транзистор: IGBT 400V 8TSSOP
SGH40N60UFDTU

onsemi

SGH40N60UFDTU
Транзистор: IGBT 600V 40A 160W TO3P
NGTB20N120IHWG

onsemi

NGTB20N120IHWG
Транзистор: IGBT 20A 1200V TO-247
SGF23N60UFTU

Fairchild Semiconductor

SGF23N60UFTU
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IRG4IBC20UDPBF

International Rectifier

IRG4IBC20UDPBF
Транзистор: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
RJH60M2DPE-00#J3

Renesas Electronics Corporation

RJH60M2DPE-00#J3
Транзистор: IGBT
NGTB40N60IHLWG

onsemi

NGTB40N60IHLWG
Транзистор: IGBT 600V 40A TO247
FGS15N40LTF

Fairchild Semiconductor

FGS15N40LTF
Транзистор: IGBT, 400V, N-CHANNEL
NGTB10N60R2DT4G

onsemi

NGTB10N60R2DT4G
Транзистор: IGBT 600V 20A DPAK
SGH10N60RUFDTU

Fairchild Semiconductor

SGH10N60RUFDTU
Транзистор: IGBT, 16A, 600V, N-CHANNEL

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.

Применение

Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
  • Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
  • Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.

Совместимость

Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные (Дискретные полупроводники)

Силовые ключи для современной электроники: как IGBT-транзисторы меняют индустрию

В мире силовой электроники существует постоянная борьба между двумя фундаментальными параметрами: мощностью и скоростью. Биполярные транзисторы с изолированным затвором, или IGBT, стали тем гениальным компромиссом, который позволил инженерам проектировать эффективные и компактные системы, управляющие огромными энергиями. Эти компоненты объединили в себе лучшие черты биполярных транзисторов — способность работать с высокими напряжениями и большими токами — и полевых MOSFET-транзисторов с их простым и энергоэффективным управлением с помощью напряжения, а не тока. Именно это сочетание делает их незаменимыми в схемах, где требуется коммутировать нагрузки в десятки и сотни ампер при напряжениях до нескольких киловольт, что абсолютно недостижимо для обычных MOSFET. Их роль сложно переоценить: они являются буквально «мышцами» современной промышленной автоматики, энергосетей и транспорта, преобразуя электрическую энергию с минимальными потерями.

Внешний вид мощного дискретного IGBT-транзистора в корпусе TO-268

От промышленных приводов до бытовой техники: где работают IGBT

Практически любое современное устройство, которое плавно регулирует скорость мощного электродвигателя или преобразует постоянный ток в переменный с высокой точностью, с большой долей вероятности использует IGBT-транзсисторы. Самый яркий пример — это частотные преобразователи и сервоприводы на заводах. Они позволяют точно контролировать скорость и момент вращения асинхронных двигателей станков, конвейеров и насосов, экономя до 50% электроэнергии по сравнению с простым пуском через прямой пуск. Не менее важна их роль в силовых инверторах для солнечных электростанций и систем бесперебойного питания, где они преобразуют постоянное напряжение от батарей в чистую синусоиду 220В для питания чувствительного медицинского или серверного оборудования. Мы даже не замечаем, как ежедневно пользуемся плодами их работы: в современных стиральных машинах с прямым приводом, индукционных варочных панелях, которые мгновенно и точно регулируют нагрев, и системах кондиционирования воздуха с инверторными компрессорами именно IGBT обеспечивают тихую и экономичную работу.

На что смотреть при выборе дискретного IGBT

Выбор конкретного одиночного IGBT — это всегда поиск баланса под конкретную задачу. Ключевыми параметрами являются коллектор-эмиттерное напряжение VCES и постоянный ток коллектора IC при определенной температуре. Важно выбирать компонент с запасом по напряжению не менее 20-30% от максимального в вашей схеме, чтобы обезопасить себя от всплесков и перенапряжений. Не менее критичен ток: его значение в даташите обычно указано для температуры корпуса 25°C или 100°C, но в реальности, при плохом теплоотводе, максимальный допустимый ток будет значительно ниже. Обязательно анализируйте падение напряжения в открытом состоянии VCE(sat) — именно оно определяет основные потери мощности и нагрев прибора в ключевом режиме. Для частотных преобразователей и инверторов также важен параметр скорости переключения, так как чем она выше, тем меньше потери, но тем сложнее становится подавление электромагнитных помех. Наконец, обращайте внимание на тип корпуса: мощные модели в TO-247 или TO-3PF требуют обязательного монтажа на радиатор, в то время как компактные DPAK или TO-252 подходят для менее требовательных применений.

Почему заказ IGBT в «Эиком Ру» — это верное решение

Создавая сложные и надежные системы, вы должны быть абсолютно уверены в качестве каждого компонента, особенно силового, отказ которого может привести к дорогостоящему простою оборудования. «Эиком Ру» предлагает обширный каталог дискретных IGBT-транзисторов от ведущих мировых производителей, таких как Infineon, STMicroelectronics, Vishay и ON Semiconductor. Мы тщательно проверяем цепочки поставок, поэтому гарантируем, что вы получаете исключительно оригинальные компоненты, прошедшие полный цикл заводского контроля. Наш собственный склад в Москве позволяет оперативно комплектовать заказы и предлагать действительно конкурентные цены без лишних наценок. А для инженеров и компаний по всей России мы сделали доставку бесплатной, чтобы вы могли сосредоточиться на проектировании, а не на логистике. Мы не просто продаем радиодетали, мы предоставляем доступ к технологиям, которые двигают прогресс вперед.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    SMC Diode Solutions
    SDURF820Диод: DIODE GEN PURP 200V ITO220AC
    164Кешбэк 24 балла
    Panjit International Inc.
    FR1JAFC_R1_00001SMAF-C, FAST
    59Кешбэк 8 баллов
    VISHAY
    VS-P102WSCR HY-BRIDGE 600V 25A PACE-PAK
    8 535Кешбэк 1 280 баллов
    Nexperia
    PMBT4403,235TRANS PNP 40V 0.6A TO236AB
    25Кешбэк 3 балла
    onsemi
    DTA124XET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    36Кешбэк 5 баллов
    DIODES INC.
    DCX144EU-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    96Кешбэк 14 баллов
    ROHM Semiconductor
    RBR10BM40ATLRBR10BM40A IS LOW VF SCHOTTKEY B
    271Кешбэк 40 баллов
    Rohm Semiconductor
    2SA1514KT146RTRANS PNP 120V 0.05A SMT3
    107Кешбэк 16 баллов
    INFINEON
    BSC028N06NSTATMA1MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
    588Кешбэк 88 баллов
    Nexperia USA Inc.
    BAT754L,115Диод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    NEXPERIA
    PMN16XNEXMOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
    143Кешбэк 21 балл
    Nexperia
    BZX79-C3V6,133Диод: DIODE ZENER 3.6V 400MW ALF2
    19Кешбэк 2 балла
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП